Memória ReRAM: a tecnologia da USP que pode desbancar o SSD

Você já ouviu falar do SSD? Parece uma daquelas “seitas” de internet, eu sei, mas essa tecnologia é realmente efetiva. Só que ela pode estar com os dias contados: uma memória com potencial de revolucionar a computação está em desenvolvimento na USP.

Trata-se de um protótipo de memristor composto por grafeno e ITON, componente químico à base de índio e nitrogênio. E o que isso significa, em bom português? O memristor é um nanotecnologia de armazenamento que consegue guardar as informações sem a presença de energia elétrica (ou seja, desligado), algo impossível para as memórias RAM, por exemplo. Esse tipo de tecnologia é conhecido como Memória Resistiva, ou ReRAM.

A memória ReRAM deve alterar completamente a computação como conhecemos. Para o sistema operacional funcionar, a memória RAM busca as informações armazenadas no HD ou SSD e as executa. Como a memória RAM se apaga toda vez que o equipamento é desligado, o processo precisa ser refeito todas as vezes que entra em funcionamento, o que causa lentidão. Com a adoção de um memristor, que não perde as informações no desligamento, essa operação deixa de ser necessária.

Além das vantagens já listadas, o memristor é minúsculo, muito menor que a unidade do SSD, por exemplo. Ou seja, uma peça do mesmo tamanho terá uma capacidade de armazenamento bem maior.

A pesquisa está sendo conduzida por Marina Sparvoli, pós-douturanda do Instituto de Física da USP e teve o pedido de registro aceito pelo Instituto Nacional da Propriedade Industrial (INPI) no último mês de novembro. A memória ReRAM de grafeno e ITON ainda não tem previsão de lançamento comercial.

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